Der Begriff "Galliumnitrid (GaN) " ist in letzter Zeit häufig aufgetaucht, insbesondere nachdem Xiaomi sein erstes 65W-Galliumnitrid-Schnellladegerät veröffentlicht hat.Der Begriff "Galliumnitrid" begann in der Öffentlichkeit im Sehfeld weit verbreitet zu erscheinen.Was ist also der Unterschied zwischen Galliumnitrid (GaN) und PD?
Was ist GaN?
GaN (Galliumnitrid) ist ein neues Halbleitermaterial der dritten Generation mit hoher Widerstandsfähigkeit, hoher Frequenz, hoher Temperaturbeständigkeit und stabilen chemischen Eigenschaften.Es hat viele Vorteile, wie beispielsweise eine einfache Wärmeabgabe., kleine Größe, geringer Verlust und hohe Leistung.
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Wir wissen, dass Galliumnitrid ein Material ist, es hat nichts mit dem Protokoll zu tun.und das Produktvolumen kann im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOS-Rohrladegeräten um 30-60% (Single-Port-Ausgang) und das Gewicht um 20-40% reduziert werdenIm Vergleich zu gewöhnlichen Ladegeräten sind die FuE- und Produktionskosten von Galliumnitridladegeräten wesentlich höher und der Preis wird natürlich höher sein als bei gewöhnlichen Ladegeräten.
Was ist PD Schnellladung?
Das PD-Protokoll ist ein von der International USB-IF Organization Association formulierter Standard für das sichere Laden.und PD ist ein schnelles LadeprotokollEs bezieht sich auf ein mit dem USB PD-Protokoll kompatibles Ladegerät. Dieses Protokoll wird über die Typ-C-Schnittstelle ausgeführt und ist eines der gängigen Schnellladeprotokolle auf dem Markt.Der neueste Standard für schnelles Laden ist USB PD3.1Es unterstützt eine Ausgangsspannung von bis zu 48 V, und die Ladeleistung wird gleichzeitig auf 240 W erhöht.und 48V machen die unterstützten Geräte voller Phantasie, die Computer, Elektrowerkzeuge im Leben und sogar zukünftige Motorräder abdecken.
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GaN-Ladegeräte sind etwas teurer, bieten aber ein besseres Ladeerlebnis.Keine Notwendigkeit, einen schweren Stromadapter zu tragen, wenn Sie ausgehenGroße Marken wie Xiaomi und Lenovo auf dem Markt haben es bereits auf Produkte angewendet.
Nun, oben ist der spezifische Unterschied zwischen GaN-Schnellladung und PD-Schnellladung.